Əsas səhifəMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
Əvvəlki qapanış
5,80 $
Gün aralığı
5,74 $ - 5,82 $
İl aralığı
4,89 $ - 9,39 $
Bazar kapitalizasiyası
127,44 mln USD
Ortalama səhm həcmi
101,85K
Qiymət-mənfəət nisbəti
84,38
Bölünmüş dəyər
-
İlkin mübadilə
NASDAQ
Bazarla bağlı xəbərlər
Maliyyəyə aid
Gəlir Bəyanatı
Gəlir
Xalis gəlir
(USD) | sen 2024info | İldən-ilə dəyişiklik |
---|---|---|
Gəlir | 12,09 mln | -26,56% |
Fəaliyyət xərci | 8,07 mln | 1,60% |
Xalis gəlir | 2,27 mln | -6,85% |
Xalis gəlir marjası | 18,78 | 26,81% |
Pay üzrə qazanc | 0,17 | 1,39% |
EBITDA | -1,71 mln | -175,56% |
Effektiv vergi göstəricisi | 0,44% | — |
Balans Cədvəli
Ümumi aktivlər
Ümumi öhdəliklər
(USD) | sen 2024info | İldən-ilə dəyişiklik |
---|---|---|
Nağd, qısamüddətli sərmayə | 39,59 mln | 13,32% |
Ümumi aktivlər | 72,60 mln | 15,25% |
Ümumi öhdəliklər | 13,33 mln | 5,45% |
Ümumi kapital | 59,27 mln | — |
Artıq paylar | 21,97 mln | — |
Rezervasiya üçün qiymət | 2,14 | — |
Aktivlər üzrə gəlir | -7,71% | — |
Kapital üzrə gəlir | -8,46% | — |
Maliyyə axını
Nəğddə olan dəyişiklik
(USD) | sen 2024info | İldən-ilə dəyişiklik |
---|---|---|
Xalis gəlir | 2,27 mln | -6,85% |
Əməliyyatlardan pul vəsaitləri | 2,84 mln | -20,17% |
İnvestisiya üzrə gəlir | -63,00K | -270,59% |
Maliyyələşdirmə üzrə gəlir | 49,00K | -91,34% |
Nəğddə olan dəyişiklik | 2,82 mln | -31,19% |
Sərbəst maliyyə axını | -768,88K | -133,01% |
Haqqında
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Təməli qoyulub
2008
Baş ofislər
Vebsayt
İşçilər
83