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Everspin Technologies Inc
6,19 $
Después del cierre:(0,00 %)0,00
6,19 $
Cerrados: 30 ene, 16:00:06 GMT-5 · USD · NASDAQ · Renuncia de responsabilidad
Cierre anterior
6,22 $
Intervalo diario
6,15 $ - 6,29 $
Intervalo anual
4,89 $ - 9,39 $
Cap. bursátil
136,01 M USD
Volumen medio
117,74 mil
Relación precio-beneficio
90,05
Rentabilidad por dividendo
-
Bolsa de valores principal
NASDAQ
En las noticias
Datos financieros
Estado de resultados
Ingresos
Ingresos netos
(USD) | sept 2024info | Cambio interanual |
---|---|---|
Ingresos | 12,09 M | -26,56 % |
Gastos operativos | 8,07 M | 1,60 % |
Ingresos netos | 2,27 M | -6,85 % |
Margen de beneficio neto | 18,78 | 26,81 % |
Beneficios por acción | 0,17 | 1,39 % |
EBITDA | -1,71 M | -175,56 % |
Tipo impositivo efectivo | 0,44 % | — |
Balance general
Activos totales
Responsabilidades totales
(USD) | sept 2024info | Cambio interanual |
---|---|---|
Efectivo y a corto plazo | 39,59 M | 13,32 % |
Activos totales | 72,60 M | 15,25 % |
Responsabilidades totales | 13,33 M | 5,45 % |
Patrimonio total | 59,27 M | — |
Acciones en circulación | 21,97 M | — |
Precio-valor contable | 2,30 | — |
Rentabilidad económica | -7,71 % | — |
Retorno sobre capital | -8,46 % | — |
Flujo de caja
Variación neta del flujo de caja
(USD) | sept 2024info | Cambio interanual |
---|---|---|
Ingresos netos | 2,27 M | -6,85 % |
Efectivo de operaciones | 2,84 M | -20,17 % |
Efectivo de inversión | -63,00 mil | -270,59 % |
Efectivo de financiación | 49,00 mil | -91,34 % |
Variación neta del flujo de caja | 2,82 M | -31,19 % |
Flujo de caja libre | -768,88 mil | -133,01 % |
Información sobre la empresa
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
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