خانهMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
$۶٫۲۴
پس از ساعت کاری:(۰٫۰۰٪)۰٫۰۰
$۶٫۲۴
تعطیل: ۶ تیر, ۱۶:۳۴:۴۳ (−۴ گرینویچ) · USD · NASDAQ · سلب مسئولیت
آخرین مورد بستهشده
$۶٫۳۳
دامنه روزانه
$۶٫۰۳ - $۶٫۴۲
دامنه سالانه
$۴٫۳۴ - $۷٫۰۰
ارزش بازار
۱۴۲٫۴۴ میلیون USD
میانگین حجم معاملاتی
۸۷٫۲۱ هزار
نسبت قیمت/درآمد بهازای هر سهم
-
بازده سود سهام
-
بورس اوراق بهادار اصلی
NASDAQ
اخبار بازار
امور مالی
صورتوضعیت درآمد
درآمد
درآمد خالص
(USD) | فروردین ۱۴۰۴info | تغییر سالبهسال |
---|---|---|
درآمد | ۱۳٫۱۴ میلیون | −۸٫۹۵٪ |
هزینه عملیاتی | ۸٫۶۸ میلیون | −۰٫۸۶٪ |
درآمد خالص | −۱٫۱۷ میلیون | −۴۷۷٫۲۳٪ |
حاشیه سود خالص | −۸٫۸۸ | −۵۳۴٫۲۹٪ |
درآمد خالص بهازای هر سهم | ۰٫۰۲ | −۷۱٫۸۷٪ |
درآمد قبلاز بهره، مالیات، استهلاک | −۱٫۰۹ میلیون | −۴۳۷٫۶۲٪ |
نرخ مالیات مؤثر | −۲٫۶۴٪ | — |
ترازنامه
مجموع داراییها
مجموع بدهیها
(USD) | فروردین ۱۴۰۴info | تغییر سالبهسال |
---|---|---|
سرمایهگذاری نقد/کوتاهمدت | ۴۲٫۱۶ میلیون | ۲۱٫۱۴٪ |
مجموع داراییها | ۸۰٫۲۳ میلیون | ۲۱٫۲۶٪ |
مجموع بدهیها | ۱۷٫۲۰ میلیون | ۶۵٫۶۷٪ |
مجموع سرمایه شناور | ۶۳٫۰۳ میلیون | — |
سهام واگذارشده | ۲۲٫۴۷ میلیون | — |
نسبت قیمت به ارزش دفتری | ۲٫۲۴ | — |
بازده داراییها | −۶٫۱۱٪ | — |
بازده سرمایه | −۶٫۹۹٪ | — |
وجوه در گردش
تغییر خالص پول نقد
(USD) | فروردین ۱۴۰۴info | تغییر سالبهسال |
---|---|---|
درآمد خالص | −۱٫۱۷ میلیون | −۴۷۷٫۲۳٪ |
وجه حاصل از فعالیت عملیاتی | ۱٫۴۴ میلیون | ۲۱۱٫۳۷٪ |
وجه حاصل از سرمایهگذاری | −۱٫۳۹ میلیون | −۱۵٫۴۴٪ |
وجه حاصل از فعالیت مالی | ۱۲٫۰۰ هزار | −۹۶٫۶۰٪ |
تغییر خالص پول نقد | ۶۱٫۰۰ هزار | ۱۰۲٫۸۴٪ |
وجوه در گردش آزاد | ۱٫۷۴ میلیون | ۱۵۶٫۷۸٪ |
درباره
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
تاریخ تأسیس
۱۳۸۷
دفتر مرکزی
وبسایت
کارمندان
۸۷