მთავარიMRAM • NASDAQ
Everspin Technologies Inc
6,26 $
ამ საათების შემდეგ:
6,26 $
(0,00%)0,00
დაკეტილია: 18 ოქტ, 16:02:23 GMT-4 · USD · NASDAQ · პასუხისმგებლობის უარყოფა
აქციებიშეერთებული შტატები-ის სიაში მითითებული უსაფრთხოებასათაო ოფისი შეერთებული შტატები-ში
წინა დახურული
6,33 $
დღიური დიაპაზონი
6,20 $ - 6,38 $
წლიური დიაპაზონი
4,89 $ - 10,50 $
საბაზრო კაპიტალიზაცია
136,11 მლნ. USD
საშუალო მოცულობა
94,23 ათ.
შემ. კოეფ.
81,16
დივიდენდური შემოსავლიანობა
-
ძირითადი გაცვლა
NASDAQ
ბაზრის სიახლეები
ფინანსური მაჩვენებლები
შემოსავლის ამონაწერი
შემოსავალი
სუფთა შემომავალი
(USD)ივნ. 2024წლიდან წლამდე ცვლილ.
შემოსავალი
10,64 მლნ.-32,46%
სამეწარმეო ხარჯი
8,04 მლნ.6,14%
სუფთა შემომავალი
-2,50 მლნ.-164,40%
წმინდა მოგების ზღვარი
-23,52-195,34%
გამომუშავებული თანხა აქციაზე
-0,03-112,26%
EBITDA
-2,42 მლნ.-227,01%
ეფექტური საგადასახადო განაკვეთი
-3,13%
აქტივების საერთო რაოდენობა
პასუხისმგებლ. საერთო რაოდ.
(USD)ივნ. 2024წლიდან წლამდე ცვლილ.
ნაღ. ფული და მოკლე ინვესტ.
36,76 მლნ.19,25%
აქტივების საერთო რაოდენობა
64,56 მლნ.12,74%
პასუხისმგებლ. საერთო რაოდ.
9,14 მლნ.-18,35%
კაპიტალის საერთო რაოდენობა
55,42 მლნ.
მიმოქცევაში მყოფი აქციები
21,74 მლნ.
საბაზრო ღირებულების ნომინალურთან შეფარდება
2,47
აქტივების რენტაბელურობა
-10,78%
კაპიტალის რენტაბელურობა
-11,55%
წმინდა ნაშთი ნაღდი ფულის სახით
(USD)ივნ. 2024წლიდან წლამდე ცვლილ.
სუფთა შემომავალი
-2,50 მლნ.-164,40%
ნაღდი ფული ოპერაციებიდან
1,72 მლნ.-72,80%
ნაღდი ფული ინვესტირებიდან
-34,00 ათ.8,11%
ნაღდი ფული დაფინანსებიდან
276,00 ათ.-16,11%
წმინდა ნაშთი ნაღდი ფულის სახით
1,96 მლნ.-70,34%
ფულის თავისუფალი ბრუნვა
2,50 მლნ.-26,81%
ინფორმაცია
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM. MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
დაარსდა
2008
ვებსაიტი
თანამშრომლები
83
აღმოაჩინეთ მეტი
შესაძლოა გაინტერესებდეთ
ეს სია გენერირდება ბოლოდროინდელი ძიებებიდან, ფასიანი ქაღალდებიდან, რომლებსაც თვალს ადევნებთ და სხვა აქტივობიდან. შეიტყვეთ მეტი

ყველა მონაცემი და ინფორმაცია მოწოდებულია ისე, „როგორც არის“ მხოლოდ პერსონალური ინფორმაციის მიზნებისთვის და არ არის გამიზნული, იყოს ფინანსური კონსულტაცია, არც სავაჭრო მიზნებს ემსახურება და არც საინვესტიციო, საგადასახადო, იურიდიული, ბუღალტრული თუ სხვა რჩევებისთვის არის განკუთვნილი. Google არ არის საინვესტიციო მრჩეველი და არც ფინანსური მრჩეველი და არ გამოთქვამს შეხედულებას, რეკომენდაციას ან მოსაზრებას ამ სიაში შესული რომელიმე კომპანიის შესახებ ან ამ კომპანიების მიერ გაცემულ რომელიმე ფასიან ქაღალდთან დაკავშირებით. გთხოვთ, კონსულტაცია გაიაროთ თქვენს ბროკერთან ან ფინანსურ წარმომადგენელთან ფასების დასადასტურებლად ნებისმიერი სავაჭრო გარიგების შესრულებამდე. შეიტყვეთ მეტი
სხვები ასევე ეძებენ
ძიება
ძიების გასუფთავება
ძიების დახურვა
Google აპები
მთავარი მენიუ