होमMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
$ ५.४८
कार्यालय समयपछि:(०.००%)०.००
$ ५.४८
बन्द छन्: अप्रिल २५, १६:०२:०४ GMT-४ · USD · NASDAQ · अस्वीकृति
अघिल्लो दिनको अन्तिम मूल्य
$ ५.४०
दिनको न्यूनतम र अधिकतम मूल्य
$ ५.२६ - $ ५.५२
वर्षको न्यूनतम र अधिकतम मूल्य
$ ४.३४ - $ ७.७३
कम्पनीको कुल सेयरको बजार मूल्य
१२.२५ करोड USD
औसत कारोबार
९६.४२ हजार
लागत र आम्दानीको अनुपात
१५५.४६
लाभांशबापत हुने कमाइ
-
धितोपत्र विनिमय हुने मुख्य बजार
NASDAQ
बजारसम्बन्धी समाचार
वित्तीय जानकारी
आय विवरण
आय
खुद आम्दानी
(USD) | २०२४ डिसेम्बरinfo | वर्षअनुसार भएको परिवर्तन |
---|---|---|
आय | १.३२ करोड | -२०.७३% |
सञ्चालनसम्बन्धी खर्च | ८३.५५ लाख | २.९४% |
खुद आम्दानी | १२.१४ लाख | -३८.३१% |
खुद नाफा प्रतिशत | ९.१७ | -२२.१६% |
प्रति सेयरबाट भएको आम्दानी | ०.१३ | -२८.६५% |
EBITDA | -११.२३ लाख | -१५९.५१% |
करको प्रभावकारी दर | -११.५८% | — |
ब्यालेन्स सिट
कुल सम्पत्ति
कुल दायित्व
(USD) | २०२४ डिसेम्बरinfo | वर्षअनुसार भएको परिवर्तन |
---|---|---|
नगद र अल्पकालीन लगानी | ४.२१ करोड | १३.९४% |
कुल सम्पत्ति | ७.७८ करोड | १५.५८% |
कुल दायित्व | १.५२ करोड | १३.५६% |
कुल सेयर | ६.२६ करोड | — |
बाँकी सेयरहरू | २.२१ करोड | — |
बजार मूल्य र बुक मूल्यको अनुपात | १.९० | — |
सम्पत्तिबाट प्राप्त लाभ | -५.१८% | — |
पूँजीबाट प्राप्त लाभ | -५.७७% | — |
नगद प्रवाह
नगद मौज्दातमा भएको खुद परिवर्तन
(USD) | २०२४ डिसेम्बरinfo | वर्षअनुसार भएको परिवर्तन |
---|---|---|
खुद आम्दानी | १२.१४ लाख | -३८.३१% |
गतिविधिहरूबाट प्राप्त रकम | ३८.३३ लाख | ८७.७१% |
लगानीबाट प्राप्त रकम | -१७.५८ लाख | -४४९.३८% |
वित्तीय सेवाबाट प्राप्त रकम | ४.३४ लाख | ४९.६६% |
नगद मौज्दातमा भएको खुद परिवर्तन | २५.०९ लाख | २४.७०% |
स्वतन्त्र नगद प्रवाह | ३.६९ लाख | -७२.३०% |
बारेमा
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
स्थापना भएको मिति:
२००८
मुख्यालयहरू
वेबसाइट
कर्मचारीहरू
८७