StartsideMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
Forrige sluttkurs
5,80 $
Dagsintervall
5,74 $ - 5,82 $
Årsintervall
4,89 $ - 9,39 $
Markedsverdi
127,44 mill. USD
Gjennomsnittlig volum
101,85k
P/E-tall
84,38
Utbytte
-
Hovedbørs
NASDAQ
Markedsnyheter
Økonomi
Resultatregnskap
Omsetning
Nettoomsetning
(USD) | sep. 2024info | Endring år til år |
---|---|---|
Omsetning | 12,09 mill. | −26,56 % |
Driftskostnader | 8,07 mill. | 1,60 % |
Nettoomsetning | 2,27 mill. | −6,85 % |
Netto resultatmargin | 18,78 | 26,81 % |
Fortjeneste per aksje | 0,17 | 1,39 % |
EBITDA | −1,71 mill. | −175,56 % |
Faktisk avgiftssats | 0,44 % | — |
Balanseregnskap
Totale aktiva
Totale passiva
(USD) | sep. 2024info | Endring år til år |
---|---|---|
Kontant / kortsiktige inv. | 39,59 mill. | 13,32 % |
Totale aktiva | 72,60 mill. | 15,25 % |
Totale passiva | 13,33 mill. | 5,45 % |
Total egenkapital | 59,27 mill. | — |
Utestående aksjer | 21,97 mill. | — |
P/B-forhold | 2,14 | — |
Avkastning på aktiva | −7,71 % | — |
Avkastning på kapital | −8,46 % | — |
Kontantstrøm
Netto kontantstrøm
(USD) | sep. 2024info | Endring år til år |
---|---|---|
Nettoomsetning | 2,27 mill. | −6,85 % |
Kontantstrøm fra drift | 2,84 mill. | −20,17 % |
Kontanter fra investering | −63,00k | −270,59 % |
Kontanter fra finansiering | 49,00k | −91,34 % |
Netto kontantstrøm | 2,82 mill. | −31,19 % |
Fri kontantstrøm | −768,88k | −133,01 % |
Om
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Grunnlagt
2008
Hovedkvarter
Nettsted
Ansatte
83