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Everspin Technologies Inc
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Fechados: 7 de mai., 16:02:18 GMT-4 · USD · NASDAQ · Exoneração de responsabilidade
Último fechamento
$ 5,69
Variações de hoje
$ 5,65 - $ 5,88
Variações do ano
$ 4,34 - $ 7,00
Capitalização de mercado
131,88 mi USD
Volume médio
93,80 mil
Índice P/L
-
Rend. de dividendos
-
Bolsa principal
NASDAQ
Notícias sobre o mercado
Finanças
Demonstração de resultados
Receita
Renda líquida
(USD) | mar. de 2025info | Variação ano a ano |
---|---|---|
Receita | 13,14 mi | -8,95% |
Gastos operacionais | 8,68 mi | -0,86% |
Renda líquida | -1,17 mi | -477,23% |
Margem de lucro líquida | -8,88 | -534,29% |
Lucros por ação | 0,02 | -71,87% |
LAJIDA | -1,09 mi | -437,62% |
Carga tributária efetiva | -2,64% | — |
Planilha de balanço
Total de ativos
Total de passivos
(USD) | mar. de 2025info | Variação ano a ano |
---|---|---|
Dinheiro e investimentos de curto prazo | 42,16 mi | 21,14% |
Total de ativos | 80,23 mi | 21,26% |
Total de passivos | 17,20 mi | 65,67% |
Capital próprio | 63,03 mi | — |
Ações em circulação | 22,47 mi | — |
Preço/Valor Patrimonial | 2,02 | — |
Retorno sobre ativos | -6,11% | — |
Retorno sobre capital | -6,99% | — |
Fluxo de caixa
Variação líquida em dinheiro
(USD) | mar. de 2025info | Variação ano a ano |
---|---|---|
Renda líquida | -1,17 mi | -477,23% |
Dinheiro das operações | 1,44 mi | 211,37% |
Dinheiro de investimentos | -1,39 mi | -15,44% |
Dinheiro de financiamentos | 12,00 mil | -96,60% |
Variação líquida em dinheiro | 61,00 mil | 102,84% |
Fluxo de caixa livre | 1,74 mi | 156,78% |
Sobre
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Data da fundação
2008
Site
Empregados
87