Pagina de pornireMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
5,78 $
După ora închiderii:(0,00 %)0,00
5,78 $
Închis: 2 mai, 16:02:01 GMT-4 · USD · NASDAQ · Clauză de declinare a responsabilității
Închidere anterioară
5,92 $
Intervalul de astăzi
5,75 $ - 6,00 $
Interval anual
4,34 $ - 7,00 $
Capitalizare bursieră
129,86 mil. USD
Volum mediu
98,42 K
Raport P/E
163,97
Randamentul dividendelor
-
Bursă principală
NASDAQ
La știri
Aspecte financiare
Declarația de venit
Venit
Venit net
| (USD) | dec. 2024info | Modificare de la an la an |
|---|---|---|
Venit | 13,24 mil. | -20,73 % |
Cheltuieli de funcționare | 8,36 mil. | 2,94 % |
Venit net | 1,21 mil. | -38,31 % |
Marja netă a profitului | 9,17 | -22,16 % |
Venituri pe acțiune | 0,13 | -28,65 % |
Câștigul înainte de dobânzi, taxe, depreciere și amortizare | -1,12 mil. | -159,51 % |
Cotă efectivă de impozitare | -11,58 % | — |
Bilanț
Active în total
Datorii în total
| (USD) | dec. 2024info | Modificare de la an la an |
|---|---|---|
Investiții în numerar și pe termen scurt | 42,10 mil. | 13,94 % |
Active în total | 77,79 mil. | 15,58 % |
Datorii în total | 15,20 mil. | 13,56 % |
Capital propriu total | 62,59 mil. | — |
Acțiuni restante | 22,14 mil. | — |
Preț pe valoare contabilă | 2,08 | — |
Rentabilitatea activelor | -5,18 % | — |
Rentabilitatea capitalului | -5,77 % | — |
Flux de numerar
Variație netă în numerar
| (USD) | dec. 2024info | Modificare de la an la an |
|---|---|---|
Venit net | 1,21 mil. | -38,31 % |
Numerar din operațiuni | 3,83 mil. | 87,71 % |
Numerar din investiții | -1,76 mil. | -449,38 % |
Numerar din finanțare | 434,00 K | 49,66 % |
Variație netă în numerar | 2,51 mil. | 24,70 % |
Flux liber de numerar | 368,88 K | -72,30 % |
Despre
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Înființare
2008
Site
Angajați
87
